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近十年来，深入二维半导体以其高迁移率、带隙合理的特点成为发展新一代电子器件的热门材料。建立了拓扑绝缘体二维结构的可控生长方法，推进替代实现了首例拓扑绝缘体二维阵列的制备，推进替代首次观测到拓扑绝缘体的AB量子干涉效应，并开创了拓扑绝缘体在柔性透明电极的应用。

ⅳ.进一步放大的图像显示了硒空位和硒原子(C)扫描隧道谱（STS）显示出邻近和远离阶梯边缘区域的带隙宽度均约为0.8eV(D)STS图谱展示了带隙宽度的统一性图3硒氧化铋的完整能带结构(A)ky-kz平面的费米面绘制(B)由导带形成的电子口袋的细节部分(C)能带色散图没有观测到边缘态或者表面态的存在(D)能带结构的详细三维图像解析图4硒氧化铋的表面图形及其对能带结构的影响(A)大面积原子级分辨STM拓扑图像显示了开裂样品表面的周期性结构(B)开裂表面图形的蒙特卡洛模拟和快速傅里叶变换（FFT）(C)表面铋、和综合能户侧硒原子的STS实验测量和计算结果【小结】这项工作通过实验观测发现新型超高迁移率层状硒氧化铋半导体材料的带隙具备优异的空间一致性，和综合能户侧即便材料存在表面缺陷（约50%的硒空位）的条件下，带隙依然表现出强大的稳健性能。此外，源服通过改变材料的厚度还能调控带隙宽度。2018年9月14日，构物联网相关成果以题为Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se在线发表在ScienceAdvances上。

因此，建客为了全面开发硒氧化铋材料在电子、热电、光电器件等领域的应用价值，深入了解其精细的电子结构是非常有必要的。曾荣获OutstandingYoungResearcherAward(MacronixPrize)、电网电能电力WilliamE.andDianeM.SpicerYoungInvestigatorAward等奖项。

深入这一发现进一步表明硒氧化铋是发展新一代电子器件的理想材料。

推进替代ⅱ.低温下SdH量子振荡现象的存在表明了载流子相对较长的平均自由程(D)ⅰ.开裂过程示意图表明开裂后只有大约50%的硒原子存留在氧化铋层上。可是你都没有给我这个机会，和综合能户侧你是否埋怨我没有送你最后一程。

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